氮化物外延基板
氮化镓（GaN）是一种用于下一代功率半导体和高频设备的宽带隙材料。本公司的氮化镓外延基板具有独特的缓冲层，在硅基板上同时实现了高耐电压性和良好的平整性。（硅基氮化镓HEMT外延基板）
我们还致力于p-GaN盖层和AlGaN DH结构的开发，旨在生产出常闭型HEMT外延基板。
我们还提供碳化硅 (SiC)、蓝宝石基氮化镓外延基板和用于高品质LED的氮化铝模板（蓝宝石基板上加工）。
用途（硅基氮化镓HEMT外延基板）
- 高功率半导体用途：逆变器、AC/DC转换器
- 高频设备用途：用于手机基站
空调等的逆变器
用于手机基站等的高频设备
产品特点（硅基氮化镓HEMT外延基板）
- 高耐电压（1000V）和低漏电（1E-6A）
- 无裂纹
- 良好的翘曲度（Bow＜50μm）
- 衬底尺寸（3、4、6英寸）
- 支持厚膜（4.8μm）
- p-GaN盖层、AlGaN DH结构
产品特性（硅基氮化镓HEMT外延基板）
- Standard HEMT Structure
| Layer | Composition | Thickness | x |
| 4 | GaN | 1nm | |
| 3 | AlxGa1-xN | 30nm | 0.25 |
| 2 | GaN | 1500nm | |
| 1 | Buffer | 3300nm | |
| Substrate | Si | 625um |
- Substrate
| Material | Silicon |
| Orientation | <111> |
| Crystal growth method | CZ |
| Type | p type |
| Size(inch) | 3,4,6 |
| Thickness(um) | 625 or 675 |
| Backside | rough |
- Electrical properties
| Hall measurement | Typical value |
| Sheet resistance(ohm/sq) | 400 |
| Carrier density(/cm2) | 1.00E+13 |
| Mobility(cm2/Vs) | 1550 |
- Vertical/Horizontal leak current
- 注
- ・推荐用途：电源开关装置
- ・例举的数值和特性为典型值。
- ・我们可以根据您的需求调整结构和特性。
- ・另可应对p-GaN盖层和AlGaN缓冲结构。
产品特性（氮化铝模板）
| Substrate: | c-plane sapphire |
| Crystal Structure of AlN Epitaxial Layer: | wurtzite |
| Diameter: | 50.8 mm ± 0.25 mm (typical) |
| Thickness of Substrate: | 430 μm ± 25 μm (typical) |
| Thickness of AlN Epitaxial Layer: | 1 μm ± 0.3 μm (typical) |
| Surface: | c-plane AlN, as grown effective area < 40 mmΦ (typical) no cracks by a visual inspection. |
| Backside: | rough |
| FWHM of X-ray ω-scan rocking curve: | < 150 arcsec for (0002) (typical) |
| Conductivity: | insulating |
| Packing: | packaged fluoroware container and vacuum-packed. |
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