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Laser grade
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Semi-insulating

Laser grade
ＧａＡＳウェハ　ＶＧＦ　レーザーグレード　標準仕様

結晶成長法 ＶＧＦ（Vertical Gradient Freezing）法
ドーパント、導電型 N型：Siドープ
キャリア濃度 N-type (0.4-4)×1018 cm-3
（上記範囲内での調整可能）
転位密度(EPD) (cm-2) 面内平均値：Typical Grade </=500
面内最大値：Typical Grade </=2,000
（ご要望に応じ調整可能）
サイズ 6インチ 4インチ 3インチ 2インチ
面方位 1. (100)±0.1°
2. (100) off α°±0.1° towards (011) or (01-1) etc.
3. ご要望に応じます
直径 (mm) 150.0±0.1 100.0±0.1 76.0±0.1
76.2±0.1
 50.0±0.1
50.8±0.1
厚さ (μm) 450-675
±15		 350-625
±15		 300-600
±15		 240-450
±15
オリフラ長さ OF(mm)
IF(mm)
 		 48.0±1.0
30.0±1.0		 32.5±1.0
18.0±1.0
 22.0±1.0
12.0±1.0		 16.0±1.0
8.0±1.0
（ご要望に応じ調整可能）
オリフラ方位 OF(mm)
IF(mm)		 EJ (Dove-Tail)：[OF] (0-1-1)±0.05°/ [IF](0-11)±0.5°
又は、
SEMI US (V-Groove)：[OF] (01-1)±0.05°/ [IF](011)±0.5°
（へき開、ベベルいすれも対応可能）
ノッチ OK OK OK N/A
外周加工 べべル
加工精度 TTV(μm)
Warp（μm)		 <6.0
<10.0		 <6.0
<10.0		 <5.0
<10.0		 <5.0
<10.0
面仕上げ 表面 ミラー
裏面 ラップ後エッチ（ミラー加工も可能）
表面処理 エピレディ
レーザーマーク オプション
梱包形態 フロロウェア個装（カセット梱包も可能）
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結晶成長法 ＶＧＦ（Vertical Gradient Freezing）法
ドーパント、導電型 P型：Znドープ
キャリア濃度 P-type (0.5-3)×1018 cm-3
（上記範囲内での調整可能）
転位密度(EPD) (cm-2) 面内平均値：Typical Grade </=3,000
面内最大値：Typical Grade </=5,000
（ご要望に応じ調整可能）
サイズ 3インチ 2インチ
面方位 1. (100)±0.1°
2. (100) off α°±0.1° towards (011) or (01-1) etc.
3. ご要望に応じます
直径 (mm) 76.0±0.1
76.2±0.1		 50.0±0.1
50.8±0.1
厚さ (μm) 300-600
±15		 240-450
±15
オリフラ長さ OF(mm)
IF(mm)
 		 22.0±1.0
12.0±1.0		 16.0±1.0
8.0±1.0
（ご要望に応じ調整可能）
オリフラ方位 OF(mm)
IF(mm)		 EJ (Dove-Tail)：[OF] (0-1-1)±0.05°/ [IF](0-11)±0.5°
又は、
SEMI US (V-Groove)：[OF] (01-1)±0.05°/ [IF](011)±0.5°
（へき開、ベベルいすれも対応可能）
ノッチ OK N/A
外周加工 べべル
加工精度 TTV(μm)
Warp（μm)		 <5.0
<10.0		 <5.0
<10.0
面仕上げ 表面 ミラー
裏面 ラップ後エッチ（ミラー加工も可能）
表面処理 エピレディ
レーザーマーク オプション
梱包形態 フロロウェア個装（カセット梱包も可能）
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結晶成長法 ＶＧＦ（Vertical Gradient Freezing）法
ドーパント、導電型 P型：Zn+Siドープ
キャリア濃度 P-type (0.5-3)×1018 cm-3
（上記範囲内での調整可能）
転位密度(EPD) (cm-2) 面内平均値：Typical Grade </=2,000
面内最大値：Typical Grade </=3,000
（ご要望に応じ調整可能）
サイズ 3インチ 2インチ
面方位 1. (100)±0.1°
2. (100) off α°±0.1° towards (011) or (01-1) etc.
3. ご要望に応じます
直径 (mm) 76.0±0.1
76.2±0.1		 50.0±0.1
50.8±0.1
厚さ (μm) 300-600
±15		 240-450
±15
オリフラ長さ OF(mm)
IF(mm)
 		 22.0±1.0
12.0±1.0		 16.0±1.0
8.0±1.0
（ご要望に応じ調整可能）
オリフラ方位 OF(mm)
IF(mm)		 EJ (Dove-Tail)：[OF] (0-1-1)±0.05°/ [IF](0-11)±0.5°
又は、
SEMI US (V-Groove)：[OF] (01-1)±0.05°/ [IF](011)±0.5°
（へき開、ベベルいすれも対応可能）
ノッチ OK N/A
外周加工 べべル
加工精度 TTV(μm)
Warp（μm)		 <5.0
<10.0		 <5.0
<10.0
面仕上げ 表面 ミラー
裏面 ラップ後エッチ（ミラー加工も可能）
表面処理 エピレディ
レーザーマーク オプション
梱包形態 フロロウェア個装（カセット梱包も可能）
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LED grade
ＧａＡＳウェハ　ＶＧＦ　ＬＥＤグレード　標準仕様

結晶成長法 ＶＧＦ（Vertical Gradient Freezing）法
ドーパント、導電型 N型：Siドープ
キャリア濃度 N-type (0.4-4)×1018 cm-3
（上記範囲内での調整可能）
転位密度(EPD) (cm-2) 面内平均値：-
面内最大値：Typical Grade </=5,000
（ご要望に応じ調整可能）
サイズ 6インチ 4インチ 3インチ 2インチ
面方位 1. (100)±0.1°
2. (100) off α°±0.1° towards (011) or (01-1) etc.
3. ご要望に応じます
直径 (mm) 150.0±0.2 100.0±0.2 76.0±0.2
76.2±0.2		 50.0±0.2
50.8±0.2
厚さ (μm) 450-675
±20		 350-625
±20		 300-600
±20		 240-450
±20
オリフラ長さ OF(mm)
IF(mm)
 		 48.0±1.0
30.0±1.0		 32.0±1.0
18.0±1.0		 22.0±1.0
12.0±1.0		 16.0±1.0
8.0±1.0
（ご要望に応じ調整可能）
オリフラ方位 OF(mm)
IF(mm)		 EJ (Dove-Tail)：[OF] (0-1-1)±0.5°/ [IF](0-11)±0.5°
又は、
SEMI US (V-Groove)：[OF] (01-1)±0.5°/ [IF](011)±0.5°
ノッチ OK OK OK N/A
外周加工 べべル
加工精度 TTV(μm)
Warp（μm)		 <10.0
<15.0		 <10.0
<15.0		 <10.0
<15.0		 <10.0
<15.0
面仕上げ 表面 ミラー
裏面 ラップ後エッチ（ミラー加工も可能）
表面処理 エピレディ
レーザーマーク オプション
梱包形態 カセット梱包（フロロウェア個装も可能）
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結晶成長法 ＶＧＦ（Vertical Gradient Freezing）法
ドーパント、導電型 P型：Znドープ
キャリア濃度 P-type (0.5-3)×1018 cm-3
（上記範囲内での調整可能）
転位密度(EPD) (cm-2) 面内平均値：-
面内最大値：Typical Grade </=8,000
（ご要望に応じ調整可能）
サイズ 3インチ 2インチ
面方位 1. (100)±0.1°
2. (100) off α°±0.1° towards (011) or (01-1) etc.
3. ご要望に応じます
直径 (mm) 76.0±0.2
76.2±0.2		 50.0±0.2
50.8±0.2
厚さ (μm) 300-600
±20		 240-450
±20
オリフラ長さ OF(mm)
IF(mm)
 		 22.0±1.0
12.0±1.0		 16.0±1.0
8.0±1.0
（ご要望に応じ調整可能）
オリフラ方位 OF(mm)
IF(mm)		 EJ (Dove-Tail)：[OF] (0-1-1)±0.5°/ [IF](0-11)±0.5°
又は、
SEMI US (V-Groove)：[OF] (01-1)±0.5°/ [IF](011)±0.5°
ノッチ OK N/A
外周加工 べべル
加工精度 TTV(μm)
Warp（μm)		 <10.0
<15.0		 <10.0
<15.0
面仕上げ 表面 ミラー
裏面 ラップ後エッチ（ミラー加工も可能）
表面処理 エピレディ
レーザーマーク オプション
梱包形態 フロロウェア個装（カセット梱包も可能）
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Semi-insulating
ＬＥＣ　ＧａＡｓウェハ　半絶縁性　標準仕様
結晶成長法 ＬＥＣ（Liquid Encapsulated Czochralski ）法
ドーパント、導電型 半絶縁性：アンドープ（Cドープ）
抵抗率 (at 25℃) >/=1×107 Ω cm
（上記範囲内での調整可能）
転位密度(EPD) (cm-2) 面内平均値：</=105
面内最大値：-
（ご要望に応じ調整可能）
サイズ 4インチ 3インチ 2インチ
面方位 1. (100)±0.1°
2. (100) off 2°±0.1° towards (110) etc.
3. ご要望に応じます。
直径 (mm) 100.0±0.1 76.0±0.1
76.2±0.1		 50.0±0.1
50.8±0.1
厚さ (μm) 450-625
±15		 350-625
±15		 300-450
±15
オリフラ長さ OF(mm)
IF(mm)
 		 32.0±1.0
18.0±1.0		 22.0±1.0
12.0±1.0		 16.0±1.0
8.0±1.0
（ご要望に応じ調整可能）
オリフラ方位 OF(mm)
IF(mm)		 EJ (Dove-Tail)：[OF] (0-1-1)±0.5°/ [IF](0-11)±0.5°
又は、
SEMI US (V-Groove)：[OF] (01-1)±0.5°/ [IF](011)±0.5°
ノッチ OK OK N/A
外周加工 べべル
加工精度 TTV(μm)
TIR(μm)
Warp（μm)		 <6.0
<6.0
<8.0		 <5.0
<5.0
<8.0		 <5.0
<5.0
<8.0
面仕上げ 表面 ミラー
裏面 ミラー（ラップ後エッチ加工も可能）
表面処理 エピレディ
レーザーマーク オプション
梱包形態 カセット梱包（フロロウェア個装も可能）
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結晶成長法 ＶＧＦ（Vertical Gradient Freezing）法
ドーパント、導電型 半絶縁性：アンドープ（Cドープ）
抵抗率 (at 25℃) >/=1×107 Ω cm
（上記範囲内での調整可能）
転位密度(EPD) (cm-2) 面内平均値：</=8,000
面内最大値：-
（ご要望に応じ調整可能）
サイズ 4インチ 3インチ 2インチ
面方位 1. (100)±0.1°
2. (100) off 2°±0.1° towards (110) etc.
3. ご要望に応じます。
直径 (mm) 100.0±0.1 76.0±0.1
76.2±0.1		 50.0±0.1
50.8±0.1
厚さ (μm) 450-625
±15		 350-625
±15		 300-450
±15
オリフラ長さ OF(mm)
IF(mm)
 		 32.0±1.0
18.0±1.0		 22.0±1.0
12.0±1.0		 16.0±1.0
8.0±1.0
（ご要望に応じ調整可能）
オリフラ方位 OF(mm)
IF(mm)		 EJ (Dove-Tail)：[OF] (0-1-1)±0.5°/ [IF](0-11)±0.5°
又は、
SEMI US (V-Groove)：[OF] (01-1)±0.5°/ [IF](011)±0.5°
ノッチ OK OK N/A
外周加工 べべル
加工精度 TTV(μm)
TIR(μm)
Warp（μm)		 <6.0
<6.0
<8.0		 <5.0
<5.0
<8.0		 <5.0
<5.0
<8.0
面仕上げ 表面 ミラー
裏面 ミラー（ラップ後エッチ加工も可能）
表面処理 エピレディ
レーザーマーク オプション
梱包形態 カセット梱包（フロロウェア個装も可能）
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